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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-220AB |
| 包装说明： | TO-220, 3 PIN | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.76 | Is Samacsys： | N |
| 最大集电极电流 (IC)： | 47 A | 集电极-发射极最大电压： | 300 V |
| 配置： | SINGLE | 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V |
| 门极-发射极最大电压： | 20 V | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 187 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 170 ns | 标称接通时间 (ton)： | 25 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| APT26GU30KG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 |
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| APT26GU30SA | ADPOW |
获取价格 |
POWER MOS 7 IGBT |
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| APT26GU30SA | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, D |
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| APT26GU30SAG | MICROSEMI |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 47A I(C), 300V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, TO-263, D |
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| APT26M100JCU2 | MICROSEMI |
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ISOTOP? Boost chopper MOSFET + SiC chopper diode Power module |
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| APT26M100JCU2-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APT26M100JCU3 | MICROSEMI |
获取价格 |
ISOTOP® Buck chopper MOSFET + SiC chopper dio |
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| APT26M100JCU3-Module | MICROCHIP |
获取价格 |
MOSFETsLow RDSonLow input and Miller capacitanceLow gate chargeAvalanche energy ratedVery |
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| APT27 | BCDSEMI |
获取价格 |
HIGH VOLTAGE NPN TRANSISTOR |
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| APT27GA90BD15 | MICROSEMI |
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High Speed PT IGBT |
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