Datasheet > 晶体管 > IGBT> APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G

更新时间： 2024-09-25 08:33:19

品牌	Logo	应用领域
ADPOW		晶体晶体管功率控制双极性晶体管局域网
页数	文件大小	规格书
9页	430K
描述
Thunderbolt IGBT

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

APT25GT120BRDQ2G 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TO-247, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.62	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	54 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-247	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	186 ns	标称接通时间 (ton)：	41 ns
Base Number Matches：	1

APT25GT120BRDQ2G 数据手册

TYPICAL PERFORMANCE CURVES

^AP1^T2²⁵0^G0^TV^120BRDQ2(G)

APT25GT120BRDQ2

APT25GT120BRDQ2G*

*G Denotes RoHS Compliant, Pb Free Terminal Finish.

Thunderbolt IGBT^®

TheThunderblot IGBT^®isanewgenerationofhighvoltagepowerIGBTs. UsingNon-Punch

Through Technology, the Thunderblot IGBT^®offers superior ruggedness and ultrafast

switching speed.

• Low Forward Voltage Drop

• High Freq. Switching to 50KHz

• Ultra Low Leakage Current

• Low Tail Current

• RBSOA and SCSOA Rated

MAXIMUM RATINGS

All Ratings: T = 25°C unless otherwise speciﬁed.

Parameter

Symbol

UNIT

APT25GT120BRDQ2(G)

V_CES

V_GE

I_C1

Collector-Emitter Voltage

1200

Volts

±30

Gate-Emitter Voltage

Continuous Collector Current @ T_C= 25°C

Continuous Collector Current @ T_C= 110°C

I_C2

Amps

Pulsed Collector Current

I_CM

Switching Safe Operating Area @ T_J= 150°C

75A @ 1200V

347

SSOA

P_D

Total Power Dissipation

Watts

°C

T_J,T_STG

Operating and Storage Junction Temperature Range

-55 to 150

300

T_L

Max. Lead Temp. for Soldering: 0.063" from Case for 10 Sec.

STATIC ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Symbol Characteristic / Test Conditions

MIN

TYP

MAX

Units

V_(BR)CES

V_GE(TH)

Collector-Emitter Breakdown Voltage (V_GE= 0V, I_C= 1.5mA)

Gate Threshold Voltage (V_CE= V_GE, I_C= 1mA, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 25°C)

Collector-Emitter On Voltage (V_GE= 15V, I_C= 25A, T_j= 125°C)

1200

4.5

5.5

3.2

3.9

6.5

3.7

Volts

2.7

V_CE(ON)

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 25°C)

200

I_CES

I_GES

µA

Collector Cut-off Current (V_CE= 1200V, V_GE= 0V, T_j= 125°C)

Gate-Emitter Leakage Current (V_GE= ±20V)

TBD

120

CAUTION: These Devices are Sensitive to Electrostatic Discharge. Proper Handling Procedures Should Be Followed.

APT Website - http://www.advancedpower.com

12 3 4 5 6 7...9

中文翻译

下载PDF

与APT25GT120BRDQ2G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
APT25GT120BRG	MICROSEMI	获取价格	Power Semiconductors Power Modules
APT25GT120BRG	ADPOW	获取价格	Thunderbolt IGBT
APT25GT120SR	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, D3PAK-3
APT25GT120SRG	MICROSEMI	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 54A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, ROHS COMPLIANT, D3
APT25M100J	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT25M100J_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel MOSFET
APT25SM120S	MICROSEMI	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
APT26F120B2	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr
APT26F120B2_09	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET
APT26F120L	MICROSEMI	获取价格	N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr

与APT25GT120BRDQ2G相关文章

塔塔电子与力积电达成技术转让协议，携手建设印度首座晶圆厂
2024-09-29

6
英特尔震撼发布：128核心256线程的至强6性能核处理器
2024-09-29

8
SK海力士量产12层HBM3E，容量高达36GB
2024-09-27

11
意法半导体传感器驱动Sphere，开启沉浸式电影新时代
2024-09-27

16

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G 技术参数

APT25GT120BRDQ2G 数据手册

与APT25GT120BRDQ2G相关器件

与APT25GT120BRDQ2G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

APT25GT120BRDQ2G

APT25GT120BRDQ2G 技术参数

APT25GT120BRDQ2G 数据手册

与APT25GT120BRDQ2G相关器件

与APT25GT120BRDQ2G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？