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APT26F120B2

更新时间： 2024-09-28 04:32:47
品牌 Logo 应用领域
美高森美 - MICROSEMI /
页数 文件大小 规格书
4页 269K
描述
N-Channel FREDFET 1200V, 26A, 0.65ヘ Max, trr ÷335ns

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APT26F120B2 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Active包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
其他特性：AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY雪崩能效等级（Eas）：2165 mJ
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：26 A
最大漏极电流 (ID)：27 A最大漏源导通电阻：0.58 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1135 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：105 A认证状态：Not Qualified
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
端子面层：Pure Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

APT26F120B2 数据手册

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APT26F120B2  
APT26F120L  
1200V, 26A, 0.65Ω Max, t ≤335ns  
rr  
N-Channel FREDFET  
Power MOS 8™ is a high speed, high voltage N-channel switch-mode power MOSFET.  
T-Max®  
TO-264  
This 'FREDFET' version has a drain-source (body) diode that has been optimized for  
high reliability in ZVS phase shifted bridge and other circuits through reduced t , soft  
rr  
recovery, and high recovery dv/dt capability. Low gate charge, high gain, and a greatly  
reduced ratio of C /C result in excellent noise immunity and low switching loss. The  
rss iss  
APT26F120B2  
APT26F120L  
intrinsic gate resistance and capacitance of the poly-silicon gate structure help control  
di/dt during switching, resulting in low EMI and reliable paralleling, even when switching  
at very high frequency.  
D
S
Single die FREDFET  
G
FEATURES  
TYPICAL APPLICATIONS  
• ZVS phase shifted and other full bridge  
• Fast switching with low EMI  
• Half bridge  
• Low t for high reliability  
rr  
• PFC and other boost converter  
• Buck converter  
• Ultra low C  
rss  
for improved noise immunity  
• Low gate charge  
• Single and two switch forward  
• Flyback  
• Avalanche energy rated  
• RoHS compliant  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol Parameter  
Unit  
Ratings  
26  
Continuous Drain Current @ TC = 25°C  
ID  
Continuous Drain Current @ TC = 100°C  
16  
A
Pulsed Drain Current 1  
IDM  
VGS  
EAS  
IAR  
105  
±30  
2165  
14  
V
mJ  
A
Gate-Source Voltage  
Single Pulse Avalanche Energy 2  
Avalanche Current, Repetitive or Non-Repetitive  
Thermal and Mechanical Characteristics  
Symbol Characteristic  
Min  
Typ  
Max  
1135  
0.11  
Unit  
PD  
Total Power Dissipation @ TC = 25°C  
W
RθJC  
Junction to Case Thermal Resistance  
°C/W  
°C  
RθCS  
0.11  
Case to Sink Thermal Resistance, Flat, Greased Surface  
TJ,TSTG  
-55  
150  
300  
Operating and Storage Junction Temperature Range  
TL  
Soldering Temperature for 10 Seconds (1.6mm from case)  
oz  
g
0.22  
6.2  
WT  
Package Weight  
in·lbf  
N·m  
10  
Torque  
Mounting Torque ( TO-264 Package), 4-40 or M3 screw  
1.1  
Microsemi Website - http://www.microsemi.com  
1234

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APT26F120B2 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IXFX26N120P IXYS

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