AP9563GJ

更新时间： 2024-10-27 08:32:11

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P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9563GJ 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.8	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏极电流 (ID)：	26 A
最大漏源导通电阻：	0.04 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	64 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

AP9563GJ 数据手册

AP9563GH/J

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-40V

40mΩ

-26A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

Description

The TO-252 package is universally preferred for all commercial-

industrial surface mount applications and suited for low voltage

applications such as DC/DC converters. The through-hole version

(AP9563GJ) is available for low-profile applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-40

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±25

-26

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-16

-64

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

44.6

0.36

Linear Derating Factor

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

2.8

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

Rthj-a

110

Data and specifications subject to change without notice

200227041

12 3 4

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