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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.63 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 40 V |
| 最大漏极电流 (ID)： | 17 A | 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-251 |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9565BGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9565GEH | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance |
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| AP9565GEH_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP9565GEJ | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 24 A, 40 V, 0.038 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PAC |
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| AP9565GEJ_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP9565GEM | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic |
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| AP9565GEM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| AP9566GH | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9566GM | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9566GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
暂无描述 |
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