AP9563GK

更新时间： 2024-10-27 03:19:11

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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP9563GK 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G4
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.75	风险等级：	5.65
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	40 V	最大漏源导通电阻：	0.04 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP9563GK 数据手册

AP9563GK

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-40V

40mΩ

-6.8A

▼ Lower Gate Charge

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant

SOT-223

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

low on-resistance and cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-40

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±25

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

-6.8

-5.4

-30

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

2.8

Linear Derating Factor

0.02

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200914051-1/4

12 3 4

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