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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.63 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 24 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.038 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 80 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9565GEJ_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
|
| AP9565GEM | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic |
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| AP9565GEM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
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| AP9566GH | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9566GM | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9566GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| AP9567GH | A-POWER |
获取价格 |
TO-252 |
|
| AP9567GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower On-resistance, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic |
|
| AP9567GJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower On-resistance, Simple Drive Requirement |
|
| AP9567GM | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Low On-resistance |
|
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