5秒后页面跳转
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 零件包装代码： | TO-251 |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.64 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 17 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.052 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 60 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9565BGJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 17 A, 40 V, 0.052 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, HALOGEN FREE AND R |
|
| AP9565BGM-HF | A-POWER |
获取价格 |
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9565GEH | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance |
|
| AP9565GEH_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
|
| AP9565GEJ | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 24 A, 40 V, 0.038 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PAC |
|
| AP9565GEJ_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
|
| AP9565GEM | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic |
|
| AP9565GEM-HF | A-POWER |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor |
|
| AP9566GH | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9566GM | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
