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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | SOT | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8 |
| 针数： | 8 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 5.64 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 6 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | P-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 30 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9563H | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP9563J | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| AP9563M | ETC |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9564GM | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9564GM_10 | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9564GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
|
| AP9565AGH | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement |
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| AP9565AGH-HF | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power |
|
| AP9565AGJ | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic |
|
| AP9565AGJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
暂无描述 |
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