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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Contact Manufacturer |
| 零件包装代码： | TO-251 | 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.64 |
| Is Samacsys： | N | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 40 V | 最大漏极电流 (ID)： | 26 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.04 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-251 | JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | IN-LINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 64 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP9563GJ-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP9563GK | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9563GK_12 | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9563GM | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9563GM-HF | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP9563H | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
|
| AP9563J | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE |
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| AP9563M | ETC |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9564GM | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
|
| AP9564GM_10 | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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