AP4409GEM

更新时间： 2024-02-04 13:14:46

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	81K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4409GEM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.67	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	35 V	最大漏极电流 (ID)：	80 A
最大漏源导通电阻：	0.0082 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	280 A	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP4409GEM 数据手册

AP4409GEM

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-35V

▼ Low On-resistance

7.5mΩ

-14.5A

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant

SO-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness.

The SO-8 package is universally preferred for all commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications such as

DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-35

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current^3a

Pulsed Drain Current¹

-14.5

-12

-50

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

2.5

Linear Derating Factor

0.02

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Thermal Resistance Junction-ambient^3a

Value

Unit

Rthj-a

Max

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200327063-1/4

12 3 4

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与AP4409GEM相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
AP4409GEP-HF	A-POWER	Low On-resistance, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic	获取价格
AP4409GM	A-POWER	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET	获取价格
AP4410AGM	A-POWER	Simple Drive Requirement, Low On-resistance	获取价格
AP4410GM	A-POWER	Low On-Resistance, Fast Switching	获取价格
AP4410GM-HF	A-POWER	Power Field-Effect Transistor	获取价格
AP4410M	A-POWER	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE	获取价格