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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> AP4409GEP-HF
AP4409GEP-HF PDF预览

AP4409GEP-HF

更新时间： 2024-11-20 12:52:11
品牌 Logo 应用领域
富鼎先进 - A-POWER 开关驱动
页数 文件大小 规格书
4页 127K
描述
Low On-resistance, Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic

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AP4409GEP-HF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Contact Manufacturer
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.67配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：35 V最大漏极电流 (ID)：80 A
最大漏源导通电阻：0.0082 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：280 A表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

AP4409GEP-HF 数据手册

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AP4409GEP-HF  
Halogen-Free Product  
Advanced Power  
Electronics Corp.  
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE  
POWER MOSFET  
▼ Low On-resistance  
BVDSS  
RDS(ON)  
ID  
-35V  
8.2mΩ  
-80A  
D
S
▼ Simple Drive Requirement  
G
▼ Fast Switching Characteristic  
▼ RoHS Compliant & Halogen-Free  
Description  
AP4409 series are from Advanced Power innovated design and silicon  
process technology to achieve the lowest possible on-resistance and fast  
switching performance. It provides the designer with an extreme efficient  
device for use in a wide range of power applications.  
G
TO-220(P)  
D
S
The TO-220 package is widely preferred for all commercial-industrial  
through hole applications. The low thermal resistance and low package  
cost contribute to the worldwide popular package.  
Absolute Maximum Ratings  
Symbol  
Parameter  
Rating  
-35  
Units  
V
VDS  
VGS  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
+20  
-80  
V
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Continuous Drain Current, VGS @ 10V  
Pulsed Drain Current1  
ID@TC=25℃  
ID@TC=100℃  
IDM  
A
-50  
A
-280  
83.3  
2
A
PD@TC=25℃  
PD@TA=25℃  
TSTG  
Total Power Dissipation  
W
W
℃
℃
Total Power Dissipation  
Storage Temperature Range  
Operating Junction Temperature Range  
-55 to 150  
-55 to 150  
TJ  
Thermal Data  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
℃/W  
℃/W  
Rthj-c  
Maximum Thermal Resistance Junction-case  
Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient  
1.5  
62  
Rthj-a  
Data and specifications subject to change without notice  
1
201203121  
1234

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与AP4409GEP-HF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
AP4409GM A-POWER

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 		P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4410AGM A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4410GM A-POWER

获取价格

 		Low On-Resistance, Fast Switching
AP4410GM-HF A-POWER

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor
AP4410M A-POWER

获取价格

 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP4411GM A-POWER

获取价格

 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance
AP4411GM-HF A-POWER

获取价格

 		TRANSISTOR POWER, FET, FET General Purpose Power
AP4412GM A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4412M A-POWER

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 		N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE
AP4413GM A-POWER

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 		Simple Drive Requirement, Low On-resistance

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