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AP4418GJ

更新时间： 2024-11-30 08:31:59

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富鼎先进 - A-POWER		/
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4页	61K
描述
N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4418GJ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	IN-LINE, R-PSIP-T3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	35 V	最大漏极电流 (ID)：	33 A
最大漏源导通电阻：	0.02 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-251	JESD-30 代码：	R-PSIP-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	IN-LINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	100 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP4418GJ 数据手册

AP4418GH/J

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

35V

20mΩ

33A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant

Description

The TO-252 package is universally preferred for all commercial-

industrial surface mount applications and suited for low voltage

applications such as DC/DC converters. The through-hole version

(AP4418GJ) is available for low-profile applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current¹

100

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

34.7

Linear Derating Factor

0.28

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

3.6

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

Rthj-a

110

Data & specifications subject to change without notice

200511051-1/4

12 3 4

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