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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.65 | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (ID)： | 25 A |
| 最大漏源导通电阻： | 0.021 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JEDEC-95代码： | TO-252 | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 100 A |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4434AGM-HF | A-POWER |
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Lower Gate Charge, Capable of 1.8V Gate Drive |
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| AP4434AGYT-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Small Size & Lower Profile |
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| AP4434GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive |
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| AP4434GM | A-POWER |
获取价格 |
Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
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| AP4435D | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP4435GH | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.02 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACK |
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| AP4435GH-HF | A-POWER |
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Simple Drive Requirement, Lower On-resistance |
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| AP4435GH-HF_14 | A-POWER |
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Simple Drive Requirement |
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| AP4435GJ | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.02 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACK |
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| AP4435GJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance |
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