AP4430GEM

更新时间： 2024-02-24 03:55:09

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富鼎先进 - A-POWER		晶体开关晶体管功率场效应晶体管脉冲光电二极管驱动
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5页	255K
描述
Simple Drive Requirement, Fast Switching Characteristic

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AP4430GEM 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
零件包装代码：	SOT	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8
针数：	8	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	5.76	Is Samacsys：	N
其他特性：	ULTRA LOW ON RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	35 V	最大漏极电流 (ID)：	20 A
最大漏源导通电阻：	0.0046 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4430GEM 数据手册

AP4430GEM

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

30V

4mΩ

20A

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Low On-resistance

SO-8

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer

with the best combination of fast switching,ruggedized device

design, ultra low on-resistance and cost-effectiveness.

The SO-8 package is widely preferred for all commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±12

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

2.5

W/℃

℃

Linear Derating Factor

0.02

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

℃

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

Rthj-a

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient³

℃/W

Data and specifications subject to change without notice

200806053

12 3 4 5

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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