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| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | SMALL OUTLINE, S-PDSO-N8 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.67 |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最小漏源击穿电压： | 20 V |
| 最大漏源导通电阻： | 0.018 Ω | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码： | S-PDSO-N8 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 8 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | SQUARE |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | NO LEAD | 端子位置： | DUAL |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| AP4434GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
Lower Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive |
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| AP4434GM | A-POWER |
获取价格 |
Low on-resistance, Capable of 2.5V gate drive |
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| AP4435D | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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| AP4435GH | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.02 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252, ROHS COMPLIANT PACK |
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| AP4435GH-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance |
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| AP4435GH-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP4435GJ | A-POWER |
获取价格 |
TRANSISTOR 40 A, 30 V, 0.02 ohm, P-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PACK |
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| AP4435GJ-HF | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement, Lower On-resistance |
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| AP4435GJ-HF_14 | A-POWER |
获取价格 |
Simple Drive Requirement |
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| AP4435GM | A-POWER |
获取价格 |
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET |
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