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AP4425GO

更新时间： 2024-11-09 19:58:43

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	115K
描述
TRANSISTOR 4200 mA, 20 V, P-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, ROHS COMPLIANT, TSSOP-8, FET General Purpose Small Signal

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AP4425GO 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSSOP
包装说明：	ROHS COMPLIANT, TSSOP-8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.84
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	20 V
最大漏极电流 (ID)：	4.2 A	最大漏源导通电阻：	0.052 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4425GO 数据手册

AP4425GO

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Small & Thin Package

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-20V

42mΩ

-4.2A

▼ Fast Switching Characteristic

▼ Capable of 1.8V Gate Drive

TSSOP-8

Description

The Advanced Power MOSFETs from APEC provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, ultra low on-resistance and

cost-effectiveness.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

- 20

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±8

I_D@T_A=25℃

I_D@T_A=70℃

I_DM

Continuous Drain Current³

Pulsed Drain Current¹

-4.2

-3.3

-30

P_D@T_A=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.01

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Unit

℃/W

Rthj-a

Thermal Resistance Junction-ambient³

Max.

120

Rthj-L

Thermal Resistance Junction-lead

Data and specifications subject to change without notice

200312072-1/4

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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