AP4434GH-HF

更新时间： 2024-01-30 11:29:05

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富鼎先进 - A-POWER		栅极栅极驱动
页数	文件大小	规格书
4页	81K
描述
Lower Gate Charge, Capable of 2.5V Gate Drive

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AP4434GH-HF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Contact Manufacturer
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.65
其他特性：	ULTRA-LOW RESISTANCE	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	20 V	最大漏源导通电阻：	0.0185 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP4434GH-HF 数据手册

AP4434GH-HF

Halogen-Free Product

Advanced Power

Electronics Corp.

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower Gate Charge

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

20V

18.5mΩ

21A

▼ Capable of 2.5V Gate Drive

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant & Halogen-Free

Description

Advanced Power MOSFETs from APEC provide the designer with the

best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-

resistance and cost-effectiveness.

TO-252(H)

The TO-252 package is widely preferred for commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications such

as DC/DC converters.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

+12

Gate-Source Voltage

Continuous Drain Current, V_GS@ 4.5V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

P_D@T_C=25℃

P_D@T_A=25℃

T_STG

Total Power Dissipation

Total Power Dissipation³

12.5

℃

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

T_J

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient (PCB mount)³

Rthj-a

62.5

Data and specifications subject to change without notice

201107051

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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