AP4419GJ

更新时间： 2024-11-18 08:31:59

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4419GJ 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-251
包装说明：	ROHS COMPLIANT PACKAGE-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.83	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	35 V
最大漏极电流 (ID)：	25 A	最大漏源导通电阻：	0.038 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-251
JESD-30 代码：	R-PSIP-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	IN-LINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	70 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4419GJ 数据手册

AP4419GH/J

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-35V

38mΩ

-25A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant

Description

TO-252(H)

TO-251(J)

The TO-252 package is universally preferred for all commercial-

industrial surface mount applications and suited for low voltage

applications such as DC/DC converters. The through-hole version

(AP4419GJ) is available for low-profile applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-35

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

-25

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-16

-70

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

34.7

0.28

Linear Derating Factor

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

3.6

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

Rthj-a

110

Data and specifications subject to change without notice

200428051-1/4

12 3 4

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