AP4417GH

更新时间： 2024-11-18 08:31:59

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富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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AP4417GH 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.71	Is Samacsys：	N
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	35 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.075 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-252	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AP4417GH 数据手册

AP4417GH/J

Pb Free Plating Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Lower On-resistance

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-35V

75mΩ

-15A

▼ Simple Drive Requirement

▼ Fast Switching Characteristic

▼ RoHS Compliant

Description

TO-252(H)

TO-251(J)

The TO-252 package is universally preferred for all commercial-

industrial surface mount applications and suited for low voltage

applications such as DC/DC converters. The through-hole version

(AP4417GJ) is available for low-profile applications.

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-35

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±20

-15

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-9

-40

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

Linear Derating Factor

0.21

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

4.8

Units

℃/W

Rthj-c

Thermal Resistance Junction-case

Thermal Resistance Junction-ambient

Max.

Rthj-a

110

Data and specifications subject to change without notice

200411051-1/4

12 3 4

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