AP4415GH

更新时间： 2024-11-18 06:37:19

品牌	Logo	应用领域
富鼎先进 - A-POWER		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数	文件大小	规格书
6页	181K
描述
P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

AP4415GH 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.7	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	35 V
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.036 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AP4415GH 数据手册

AP4415GH/J

RoHS-compliant Product

Advanced Power

Electronics Corp.

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE

POWER MOSFET

▼ Simple Drive Requirement

BV_DSS

R_DS(ON)

I_D

-35V

36mΩ

-24A

▼ Low On-resistance

▼ Fast Switching Characteristic

Description

The TO-252 package is widely preferred for all commercial-industrial

surface mount applications and suited for low voltage applications

such as DC/DC converters. The through-hole version (AP4415GJ) is

available for low-profile applications.

TO-252(H)

TO-251(J)

Absolute Maximum Ratings

Symbol

Parameter

Rating

-35

Units

V_DS

V_GS

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

±25

Continuous Drain Current, V_GS@ 10V

Pulsed Drain Current¹

I_D@T_C=25℃

I_D@T_C=100℃

I_DM

-24

-15

-80

P_D@T_C=25℃

Total Power Dissipation

31.25

0.25

Linear Derating Factor

W/℃

℃

T_STG

T_J

Storage Temperature Range

Operating Junction Temperature Range

-55 to 150

Thermal Data

Symbol

Parameter

Value

Units

℃/W

Rthj-c

Maximum Thermal Resistance, Junction-case

Maximum Thermal Resistance, Junction-ambient

Rthj-a

110

Data and specifications subject to change without notice

200805263

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与AP4415GH相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
AP4415GJ	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4415GM	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4416GH	A-POWER	获取价格	Lower Gate Charge, Simple Drive Requirement
AP4416GJ	A-POWER	获取价格	TRANSISTOR 20 A, 35 V, 0.045 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-251, ROHS COMPLIANT PAC
AP4417GH	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4417GH_14	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement
AP4417GH-HF	A-POWER	获取价格	Power Field-Effect Transistor
AP4417GJ	A-POWER	获取价格	P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET
AP4417GJ_14	A-POWER	获取价格	Simple Drive Requirement
AP4418GH	A-POWER	获取价格	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET