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AO4616

更新时间： 2024-11-18 08:30:59
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美国万代 - AOS 晶体晶体管场效应晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 155K
描述
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4616 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：,Reach Compliance Code：compliant
风险等级：1.53Is Samacsys：N
最大漏极电流 (Abs) (ID)：8 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL AND P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：2 W
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
Base Number Matches：1

AO4616 数据手册

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AO4616  
Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor  
General Description  
Features  
The AO4616 uses advanced trench  
technology MOSFETs to provide excellent  
RDS(ON) and low gate charge. The  
complementary MOSFETs may be used in  
inverter and other applications.Standard  
Product AO4616 is Pb-free (meets ROHS  
& Sony 259 specifications). AO4616L is a  
Green Product ordering option. AO4616  
and AO4616L are electrically identical.  
n-channel  
p-channel  
-30V  
-7.1A (VGS = -10V)  
RDS(ON)  
VDS (V) = 30V  
ID = 8.1A (VGS=10V)  
RDS(ON)  
< 20mΩ (VGS=10V)  
< 28mΩ (VGS=4.5V)  
< 25mΩ (VGS = -10V)  
< 40mΩ (VGS = -4.5V)  
D2  
D1  
1
2
3
4
8
7
6
5
S2  
G2  
S1  
G1  
D2  
D2  
D1  
D1  
G2  
G1  
SOIC-8  
S2  
S1  
n-channel  
p-channel  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
A
Parameter  
Symbol  
Max n-channel  
Max p-channel Units  
VDS  
Drain-Source Voltage  
30  
±20  
-30  
±20  
V
V
VGS  
Gate-Source Voltage  
Continuous Drain  
Current A  
Pulsed Drain CurrentB  
TA=25°C  
TA=70°C  
8.1  
-7.1  
A
ID  
6.5  
-5.6  
IDM  
30  
-30  
TA=25°C  
TA=70°C  
2
2
PD  
W
Power Dissipation  
1.28  
-55 to 150  
1.28  
-55 to 150  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Characteristics: n-channel and p-channel  
Parameter  
Symbol  
Device  
Typ  
48  
74  
Max Units  
62.5 °C/W  
110 °C/W  
60 °C/W  
Maximum Junction-to-AmbientA  
n-ch  
n-ch  
n-ch  
t ≤ 10s  
Steady-State  
Maximum Junction-to-LeadC  
Steady-State  
RθJA  
Maximum Junction-to-AmbientA  
RθJL  
RθJA  
35  
Maximum Junction-to-AmbientA  
p-ch  
p-ch  
p-ch  
48  
74  
35  
62.5 °C/W  
110 °C/W  
40 °C/W  
t ≤ 10s  
Maximum Junction-to-AmbientA  
Steady-State  
Maximum Junction-to-LeadC  
Steady-State  
RθJL  
Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.  
1234567

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AO4616 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
FDS8928A FAIRCHILD

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