AO4427

更新时间： 2024-11-20 08:30:59

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美国万代 - AOS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
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4页	140K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4427 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.81	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	30 V
最大漏源导通电阻：	0.012 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	448 pF	JESD-30 代码：	R-PDSO-G8
元件数量：	1	端子数量：	8
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	P-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

AO4427 数据手册

AO4427

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO4427 uses advanced trench technology to

provide excellent R_DS(ON), and ultra-low low gate

charge with a 25V gate rating. This device is suitable

for use as a load switch or in PWM applications. The

device is ESD protected. Standard Product AO4427

is Pb-free (meets ROHS & Sony 259 specifications).

AO4427L is a Green Product ordering option.

V_DS(V) = -30V

I_D= -12.5 A (V_GS= -20V)

_DS(ON)< 12mΩ (V_GS= -20V)

_DS(ON)< 14mΩ (V_GS= -10V)

ESD Rating: 2KV HBM

AO4427 and AO4427L are electrically identical

SOIC-8

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

-30

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±25

-12.5

-10.5

-60

T_A=25°C

T_A=70°C

I_D

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

T_A=25°C

T_A=70°C

P_D

Power Dissipation ^A

2.1

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

t ≤ 10s

R_θJA

Steady-State

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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