AO4437

更新时间： 2024-11-04 08:30:59

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美国万代 - AOS		晶体小信号场效应晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
3页	98K
描述
P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

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AO4437 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOT
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8	针数：	8
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	8.46	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	12 V
最大漏源导通电阻：	0.016 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G8	元件数量：	1
端子数量：	8	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	P-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

AO4437 数据手册

AO4437

P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

General Description

Features

The AO4437 uses advanced trench technology to provide

excellent R_DS(ON), low gate charge and operation with gate

voltages as low as 1.8V. This device is suitable for use as a

load switch or in PWM applications. It is ESD protected.

Standard Product AO4437 is Pb-free (meets ROHS & Sony

259 specifications). AO4437L is a Green Product ordering

option. AO4437 and AO4437L are electrically identical.

V_DS(V) = -12V

I_D= -11 A (V_GS= -4.5V)

R_DS(ON)< 16mΩ (V_GS= -4.5V)

R_DS(ON)< 20mΩ (V_GS= -2.5V)

R_DS(ON)< 25mΩ (V_GS= -1.8V)

ESD Rating: 4KV HBM

SOIC-8

Top View

Absolute Maximum Ratings T_A=25°C unless otherwise noted

Parameter

Symbol

Maximum

Units

V_DS

Drain-Source Voltage

-12

V_GS

Gate-Source Voltage

Continuous Drain

Current ^A

±8

T_A=25°C

T_A=70°C

-11

I_D

-9

-20

Pulsed Drain Current ^B

I_DM

T_A=25°C

T_A=70°C

P_D

Power Dissipation ^A

2.1

T_J, T_STG

Junction and Storage Temperature Range

-55 to 150

°C

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

Typ

Max

Units

°C/W

Maximum Junction-to-Ambient ^A

t ≤ 10s

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient ^A

Maximum Junction-to-Lead ^C

Steady-State

R_θJL

Alpha & Omega Semiconductor, Ltd.

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