74AUP1Z04GW

更新时间： 2024-01-11 19:27:53

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恩智浦 - NXP		总线驱动器总线收发器逻辑集成电路光电二极管
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Low-power X-tal driver with enable and internal resistor

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74AUP1Z04GW 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	SOT-363
包装说明：	PLASTIC, SOT-363, SC-88, 6 PIN	针数：	6
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8542.39.00.01
风险等级：	5.42	Is Samacsys：	N
系列：	AUP/ULP/V	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	长度：	2 mm
逻辑集成电路类型：	BUS DRIVER	湿度敏感等级：	1
位数：	1	功能数量：	1
端口数量：	2	端子数量：	6
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
输出极性：	TRUE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSSOP	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	峰值回流温度（摄氏度）：	260
传播延迟（tpd）：	20.1 ns	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.1 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	0.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	1.1 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.65 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
宽度：	1.25 mm	Base Number Matches：	1

74AUP1Z04GW 数据手册

74AUP1Z04

Low-power X-tal driver with enable and internal resistor

Rev. 01 — 12 December 2006

Product data sheet

1. General description

The 74AUP1Z04 is a high-performance, low-power, low-voltage, Si-gate CMOS device,

superior to most advanced CMOS compatible TTL families.

The 74AUP1Z04 combines the functions of the 74AUP1GU04 and 74AUP1G04 with

enable circuitry and an internal bias resistor to provide a device optimized for use in

crystal oscillator applications.

This device ensures a very low static and dynamic power consumption across the entire

V_CCrange from 0.8 V to 3.6 V.

This device is fully speciﬁed for partial power-down applications using I_OFFat output Y.

The I_OFFcircuitry disables the output Y, preventing the damaging backﬂow current through

the device when it is powered down.

When not in use the EN input can be driven HIGH, pulling up the X1 input and putting the

device in a low power disable mode. Schmitt-trigger action at the EN input makes the

circuit tolerant to slower input rise and fall times across the entire V_CCrange from 0.8 V to

3.6 V.

The integration of the two devices into the 74AUP1Z04 produces the beneﬁts of a

compact footprint, lower power dissipation and stable operation over a wide range of

frequency and temperature.

2. Features

■ Wide supply voltage range from 0.8 V to 3.6 V

■ High noise immunity

■ ESD protection:

◆ HBM JESD22-A114D Class 3A exceeds 5000 V

◆ MM JESD22-A115-A exceeds 200 V

◆ CDM JESD22-C101C exceeds 1000 V

■ Low static power consumption; I_CC= 0.9 µA (maximum)

■ Latch-up performance exceeds 100 mA per JESD 78 Class II

■ Inputs accept voltages up to 3.6 V

■ Low noise overshoot and undershoot < 10 % of V_CC

■ I_OFFcircuitry provides partial Power-down mode operation at output Y

■ Multiple package options

■ Speciﬁed from −40 °C to +85 °C and −40 °C to +125 °C

12 3 4 5 6 7...22

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