Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 3SK222-VBA

3SK222-VBA

更新时间： 2024-11-07 13:04:35

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体射频放大器晶体管场效应晶体管电视栅
页数	文件大小	规格书
6页	60K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK222-VBA 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	外壳连接：	SOURCE
配置：	SINGLE	最大漏极电流 (ID)：	0.025 A
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF
最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND	JESD-30 代码：	R-PDSO-G4
元件数量：	1	端子数量：	4
工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	21 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3SK222-VBA 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK222

RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER

N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

The Characteristic of Cross-Modulation is good.

(Unit: mm)

CM = 92 dBµ TYP. @ f = 200 MHz, GR = –30 dB

+0.2

2.8

–0.3

•

Low Noise Figure:

NF1 = 1.2 dB TYP. (f = 200 MHz)

+0.2

1.5

–0.1

NF2 = 1.0 dB TYP. (f = 55 MHz)

G^PS= 23 dB TYP. (f = 200 MHz)

•

High Power Gain:

Enhancement Type.

Suitable for use as RF amplifier in FM tuner and VHF TV tuner.

Automatically Mounting:

Small Package:

Embossed Type Taping

4 Pins Mini Mold

5°

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

V^G1S

VG2S

V^G1D

V^G2D

±8 (±10)^*1

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

*1 R^L≥ 10 kΩ

P^D

200

1. Source

2. Drain

3. Gate 2

4. Gate 1

T^ch

125

Tstg

–55 to +125

PRECAUTION

Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage

or fields.

Document No. P10574EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2267)

Date Published August 1995 P

Printed in Japan

1989

1993

12 3 4 5 6

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与3SK222-VBA相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK222-VBA-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
3SK222-VBB	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
3SK222-VBB-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-C
3SK223	NEC	获取价格	RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI
3SK223-A	NEC	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD PACKAGE-4
3SK223-U90	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD PACKAGE-4
3SK223-U90-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-U91	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-U91-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-UIA	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-

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