Datasheet > 晶体管 > 射频小信号场效应晶体管> 3SK222-VBB-A

3SK222-VBB-A

更新时间： 2024-11-09 12:59:39

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体射频放大器晶体管场效应晶体管电视栅
页数	文件大小	规格书
6页	60K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Very High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,

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3SK222-VBB-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.65
Is Samacsys：	N	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.025 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF	最高频带：	VERY HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	JESD-609代码：	e6
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最小功率增益 (Gp)：	21 dB
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN BISMUTH	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

3SK222-VBB-A 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK222

RF AMPLIFIER FOR FM TUNER AND VHF TV TUNER

N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

The Characteristic of Cross-Modulation is good.

(Unit: mm)

CM = 92 dBµ TYP. @ f = 200 MHz, GR = –30 dB

+0.2

2.8

–0.3

•

Low Noise Figure:

NF1 = 1.2 dB TYP. (f = 200 MHz)

+0.2

1.5

–0.1

NF2 = 1.0 dB TYP. (f = 55 MHz)

G^PS= 23 dB TYP. (f = 200 MHz)

•

High Power Gain:

Enhancement Type.

Suitable for use as RF amplifier in FM tuner and VHF TV tuner.

Automatically Mounting:

Small Package:

Embossed Type Taping

4 Pins Mini Mold

5°

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

V^G1S

VG2S

V^G1D

V^G2D

±8 (±10)^*1

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

*1 R^L≥ 10 kΩ

P^D

200

1. Source

2. Drain

3. Gate 2

4. Gate 1

T^ch

125

Tstg

–55 to +125

PRECAUTION

Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage

or fields.

Document No. P10574EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2267)

Date Published August 1995 P

Printed in Japan

1989

1993

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK223	NEC	获取价格	RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MINI
3SK223-A	NEC	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD PACKAGE-4
3SK223-U90	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD PACKAGE-4
3SK223-U90-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-U91	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-U91-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-UIA	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-UIA-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-UIO	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD PACKAGE-4
3SK223-UIO-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-

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