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3SK223-U91

更新时间： 2024-11-07 21:21:43

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		放大器光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
6页	51K
描述
RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, MINIMOLD PACKAGE-4

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3SK223-U91 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	MINIMOLD PACKAGE-4
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.65
外壳连接：	SOURCE	配置：	SINGLE
最大漏极电流 (ID)：	0.025 A	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
最大反馈电容 (Crss)：	0.03 pF	最高频带：	ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JESD-30 代码：	R-PDSO-G4	元件数量：	1
端子数量：	4	工作模式：	DUAL GATE, DEPLETION MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最小功率增益 (Gp)：	17 dB	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

3SK223-U91 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

3SK223

RF AMPLIFIER FOR CATV TUNER

N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR

4 PINS MINI MOLD

FEATURES

PACKAGE DIMENSIONS

•

The Characteristic of Cross-Modulation is good.

(Unit: mm)

CM = 101 dBµ TYP. @ f = 470 MHz, GR = –30 dB

+0.2

2.8

–0.3

•

Low Noise Figure:

NF1 = 2.2 dB TYP. (f = 470 MHz)

+0.2

–0.3

1.5

NF2 = 0.9 dB TYP. (f = 55 MHz)

G^PS= 20 dB TYP. (f = 470 MHz)

•

High Power Gain:

Enhancement Type.

Suitable for use as RF amplifier in CATV tuner.

Automatically Mounting:

Small Package:

Embossed Type Taping

4 Pins Mini Mold

5°

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25 °C)

Drain to Source Voltage

Gate1 to Source Voltage

Gate2 to Source Voltage

Gate1 to Drain Voltage

Gate2 to Drain Voltage

Drain Current

VDSX

V^G1S

VG2S

V^G1D

V^G2D

±8 (±10)^*1

°C

Total Power Dissipation

Channel Temperature

Storage Temperature

*1 R^L≥ 10 kΩ

P^D

200

1. Source

2. Drain

T^ch

125

Tstg

–55 to +125

3. Gate 2

4. Gate 1

PRECAUTION

Avoid high static voltages or electric fields so that this device would not suffer from any damage due to those voltage

or fields.

Document No. P10575EJ2V0DS00 (2nd edition)

(Previous No. TD-2268)

Date Published August 1995 P

Printed in Japan

1989

1993

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
3SK223-U91-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-UIA	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-UIA-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK223-UIO	RENESAS	获取价格	UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, MINIMOLD PACKAGE-4
3SK223-UIO-A	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK224	NEC	获取价格	RF AMPLIFIER FOR UHF TV TUNER N-CHANNEL Si DUAL GATE MOS FIELD-EFFECT TRANSISTOR 4 PINS MI
3SK224-A	NEC	获取价格	暂无描述
3SK224-U94	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK224-U95	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-
3SK224-UID	NEC	获取价格	RF Small Signal Field-Effect Transistor, 1-Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, N-

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