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2SK3435-Z-AZ

更新时间： 2024-11-18 21:12:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	79K
描述
Power Field-Effect Transistor, 80A I(D), 60V, 0.022ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN

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2SK3435-Z-AZ 技术参数

生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-220
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.28
雪崩能效等级（Eas）：	96 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	80 A	最大漏源导通电阻：	0.022 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	160 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3435-Z-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3435

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

2SK3435

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

The 2SK3435 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

2SK3435-S

2SK3435-ZJ

2SK3435-Z

FEATURES

TO-263

• Super low on-state resistance

R^DS(on)1= 14 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 40 A)

R^DS(on)2= 22 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 40 A)

• Low C^iss: C^iss= 3200 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

TO-220SMD ^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

±80

±160

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T

1.5

Tch

150

°C

Storage Temperature

Tstg

−55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1%

(TO-220SMD)

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

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Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14604EJ3V0DS00 (3rd edition)

1999, 2001

The mark ★ shows major revised points.

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3435-Z-E1-AZ	RENESAS	获取价格	Power MOSFETs for Automotive, MP-25Z, /
2SK3435-Z-E2-AZ	RENESAS	获取价格	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,80A I(D),TO-263AB
2SK3435-ZJ	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 60V V(BR)DSS \| 80A I(D) \| TO-263AB
2SK3435-ZJ-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
2SK3435-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3435-ZJ-E1-AZ
2SK3435-ZJ-E2-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3435-ZJ-E2-AZ
2SK3437	TOSHIBA	获取价格	DC-DC Converter, Relay Drive and Motor Drive Applications
2SK3437(2-10S1B)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 10 A, 600 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10S1B, 3 PI
2SK3437(2-10S2B)	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 10 A, 600 V, 1 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, ROHS COMPLIANT, 2-10S2B, 3 PI
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