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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | MP-25 | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.29.00.95 |
| 风险等级： | 8.04 | 雪崩能效等级（Eas）： | 562 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 60 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 83 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 83 A | 最大漏源导通电阻： | 0.0088 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 100 W | 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 332 A |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3355-S | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3355-S | RENESAS |
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83A, 60V, 0.0088ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN |
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| 2SK3355-Z | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3355-Z | RENESAS |
获取价格 |
83A, 60V, 0.0088ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN |
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| 2SK3355-Z-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SK3355-Z-E2-AZ | RENESAS |
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TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR |
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| 2SK3355-ZJ | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3355-ZJ | RENESAS |
获取价格 |
83A, 60V, 0.0088ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, 3 PIN |
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| 2SK3356 | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3356-AZ | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 75A I(D), 60V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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