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2SK3355-AZ

更新时间： 2024-02-12 20:29:03

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瑞萨 - RENESAS		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	217K
描述
Nch Single Power Mosfet 60V 83A 5.8Mohm Mp-25/To-220Ab, MP-25, /Bag

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2SK3355-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	MP-25	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.29.00.95
风险等级：	8.04	雪崩能效等级（Eas）：	562 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	60 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	83 A
最大漏极电流 (ID)：	83 A	最大漏源导通电阻：	0.0088 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	100 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	332 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

2SK3355-AZ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3355

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

2SK3355

The 2SK3355 is N-channel MOS Field Effect Transistor

designed for high current switching applications.

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3355-S

FEATURES

2SK3355-ZJ

TO-263

• Super low on-state resistance:

R^DS(on)1= 5.8 mΩ MAX. (V^GS= 10 V, I^D= 42 A)

R^DS(on)2= 8.8 mΩ MAX. (V^GS= 4.0 V, I^D= 42 A)

• Low C^iss: C^iss= 9800 pF TYP.

• Built-in gate protection diode

2SK3355-Z

TO-220SMD^Note

Note TO-220SMD package is produced only

in Japan.

(TO-220AB)

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

Drain to Source Voltage (V^GS= 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

V^DSS

V^GSS(AC)

I^D(DC)

I^D(pulse)

P^T

±20

±83

±332

100

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Channel Temperature

(TO-262)

P^T

1.5

T^ch

150

°C

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

562

(TO-263, TO-220SMD)

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 30 V, R^G= 25 Ω, V^GS= 20 → 0 V

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confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published July 2002 NS CP(K)

Printed in Japan

D14132EJ5V0DS00 (5th edition)

The mark ! shows major revised points.

1999, 2000

1 234 5 6 7...10

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
2SK3355-S	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	获取价格
2SK3355-S	RENESAS	83A, 60V, 0.0088ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, MP-25 FIN CUT, 3 PIN	获取价格
2SK3355-Z	NEC	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE	获取价格
2SK3355-Z	RENESAS	83A, 60V, 0.0088ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MP-25Z, TO-220SMD, 3 PIN	获取价格
2SK3355-Z-AZ	NEC	暂无描述	获取价格
2SK3355-Z-E2-AZ	RENESAS	TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,60V V(BR)DSS,83A I(D),TO-263ABVAR	获取价格

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