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2SK3355-AZ

更新时间: 2024-01-29 03:39:42
品牌 Logo 应用领域
瑞萨 - RENESAS 局域网开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 217K
描述
Nch Single Power Mosfet 60V 83A 5.8Mohm Mp-25/To-220Ab, MP-25, /Bag

2SK3355-AZ 技术参数

是否Rohs认证: 符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:MP-25包装说明:FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.29.00.95
风险等级:8.04雪崩能效等级(Eas):562 mJ
外壳连接:DRAIN配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压:60 V最大漏极电流 (Abs) (ID):83 A
最大漏极电流 (ID):83 A最大漏源导通电阻:0.0088 Ω
FET 技术:METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJEDEC-95代码:TO-220AB
JESD-30 代码:R-PSFM-T3元件数量:1
端子数量:3工作模式:ENHANCEMENT MODE
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs):100 W最大脉冲漏极电流 (IDM):332 A
认证状态:Not Qualified子类别:FET General Purpose Power
表面贴装:NO端子形式:THROUGH-HOLE
端子位置:SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON

2SK3355-AZ 数据手册

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2SK3355  
SOURCE TO DRAIN DIODE  
FORWARD VOLTAGE  
DRAIN TO SOURCE ON-STATE RESISTANCE vs.  
CHANNEL TEMPERATURE  
1000  
100  
10  
12  
Pulsed  
Pulsed  
V
GS = 10 V  
10  
V
GS = 4.0 V  
10 V  
8
6
4
2
0
V
GS = 0 V  
1
I
D
= 42 A  
0.1  
0
1.5  
1.0  
SD - Source to Drain Voltage - V  
0.5  
100  
150  
0
50  
50  
V
T
ch - Channel Temperature - ˚C  
CAPACITANCE vs. DRAIN TO  
SOURCE VOLTAGE  
SWITCHING CHARACTERISTICS  
10000  
100000  
10000  
V
GS = 0 V  
f = 1 MHz  
t
r
Ciss  
1000  
100  
10  
t
d(off)  
t
f
1 000  
100  
Coss  
t
d(on)  
Crss  
0.1  
1
10  
100  
0.1  
1
10  
100  
V
DS - Drain to Source Voltage - V  
I
D
- Drain Current - A  
REVERSE RECOVERY TIME vs.  
DRAIN CURRENT  
DYNAMIC INPUT/OUTPUT CHARACTERISTICS  
100  
10  
1000  
100  
µ
di/dt = 100 A/ s  
GS = 0 V  
V
V
GS  
8
80  
V
DD = 48 V  
30 V  
60  
6
4
12 V  
40  
10  
1
V
DS  
2
0
20  
0
ID = 83 A  
20 40  
Q
60 80 100 120 140 160  
0
0.1  
1.0  
10  
100  
G
- Gate Charge - nC  
I
D - Drain Current - A  
5
Data Sheet D14132EJ5V0DS  

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