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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-262AA |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.84 |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 20 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 35 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 35 A | 最大漏源导通电阻： | 0.027 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-262AA |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 35 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 140 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3295-ZJ | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3295-ZK | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3295-ZK | RENESAS |
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35A, 20V, 0.027ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, 3 PIN |
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| 2SK3295-ZK-E1-AY | RENESAS |
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2SK3295-ZK-E1-AY |
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| 2SK3296 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3296 | TYSEMI |
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4.5 V drive available Low on-state resistance RDS(on)1 = 12m MAX. (VGS= 10 V, ID = 18 A) |
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| 2SK3296 | RENESAS |
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35A, 20V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN |
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| 2SK3296 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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| 2SK3296-AZ | NEC |
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暂无描述 |
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| 2SK3296-S | NEC |
获取价格 |
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR |
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