5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3296-ZJ
2SK3296-ZJ PDF预览

2SK3296-ZJ

更新时间： 2024-11-04 22:21:43
品牌 Logo 应用领域
日电电子 - NEC 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
页数 文件大小 规格书
8页 423K
描述
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

2SK3296-ZJ 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：D2PAK包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：4Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.91Is Samacsys：N
外壳连接：DRAIN配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：35 A
最大漏源导通电阻：0.019 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：2工作模式：ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：140 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3296-ZJ 数据手册

 浏览型号2SK3296-ZJ的Datasheet PDF文件第2页浏览型号2SK3296-ZJ的Datasheet PDF文件第3页浏览型号2SK3296-ZJ的Datasheet PDF文件第4页浏览型号2SK3296-ZJ的Datasheet PDF文件第5页浏览型号2SK3296-ZJ的Datasheet PDF文件第6页浏览型号2SK3296-ZJ的Datasheet PDF文件第7页 
DATA SHEET  
MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR  
2SK3296  
SWITCHING  
N-CHANNEL POWER MOS FET  
INDUSTRIAL USE  
ORDERING INFORMATION  
DESCRIPTION  
The 2SK3296 is N-Channel MOS FET device that features a  
low on-state resistance and excellent switching characteristics,  
designed for low voltage high current applications such as  
DC/DC converter with synchronous rectifier.  
PART NUMBER  
2SK3296  
PACKAGE  
TO-220AB  
2SK3296-S  
2SK3296-ZK  
2SK3296-ZJ  
TO-262  
TO-263(MP-25ZK)  
TO-263(MP-25ZJ)  
FEATURES  
• 4.5 V drive available  
• Low on-state resistance  
DS(on)1  
R
GS  
D
= 12 mΩ MAX. (V = 10 V, I = 18 A)  
• Low gate charge  
G
D
DD  
GS  
Q = 30 nC TYP. (I = 35 A, V = 16 V, V = 10 V)  
• Built-in gate protection diode  
• Surface mount device available  
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)  
GS  
DSS  
Drain to Source Voltage (V = 0 V)  
V
V
20  
20  
V
V
DS  
GSS  
Gate to Source Voltage (V = 0 V)  
C
D(DC)  
D(pulse)  
T1  
Drain Current (DC) (T = 25°C)  
I
I
35  
140  
A
A
Drain Current (Pulse) Note  
A
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
P
P
1.5  
W
W
°C  
°C  
C
T2  
Total Power Dissipation (T = 25°C)  
40  
ch  
T
Channel Temperature  
Storage Temperature  
150  
stg  
T
−55 to +150  
Note PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%  
The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please  
confirm that this is the latest version.  
Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for  
availability and additional information.  
Document No.  
Date Published May 2001 NS CP(K)  
Printed in Japan  
D14063EJ2V0DS00 (2nd edition)  
The mark  shows major revised points.  
1999, 2000  
©
12345678

中文翻译

下载PDF

与2SK3296-ZJ相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3296-ZK NEC

获取价格

 		MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3296-ZK RENESAS

获取价格

 		35A, 20V, 0.019ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
2SK3296-ZK-E1-AY RENESAS

获取价格

 		2SK3296-ZK-E1-AY
2SK3297 NEC

获取价格

 		MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR
2SK3297-AZ NEC

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3298 NEC

获取价格

 		SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3298B RENESAS

获取价格

 		2SK3298B
2SK3298B-AY RENESAS

获取价格

 		2SK3298B-AY
2SK3298B-S17-AY NEC

获取价格

 		Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
2SK3299 TYSEMI

获取价格

 		Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)

与2SK3296-ZJ相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证