是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | D2PAK | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | EAR99 | HTS代码: | 8541.29.00.95 |
风险等级: | 5.91 | Is Samacsys: | N |
外壳连接: | DRAIN | 配置: | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
最小漏源击穿电压: | 20 V | 最大漏极电流 (ID): | 35 A |
最大漏源导通电阻: | 0.019 Ω | FET 技术: | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
JEDEC-95代码: | TO-263AB | JESD-30 代码: | R-PSSO-G2 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 2 | 工作模式: | ENHANCEMENT MODE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 最大脉冲漏极电流 (IDM): | 140 A |
认证状态: | Not Qualified | 表面贴装: | YES |
端子面层: | TIN LEAD | 端子形式: | GULL WING |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
晶体管应用: | SWITCHING | 晶体管元件材料: | SILICON |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
2SK3296-ZK-E1-AY | RENESAS |
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2SK3296-ZK-E1-AY | |
2SK3297 | NEC |
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MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR | |
2SK3297-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 5A I(D), 600V, 1.6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal | |
2SK3298 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | |
2SK3298B | RENESAS |
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2SK3298B | |
2SK3298B-AY | RENESAS |
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2SK3298B-AY | |
2SK3298B-S17-AY | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me | |
2SK3299 | TYSEMI |
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Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A) | |
2SK3299 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE | |
2SK3299 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |