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2SK3298B-S17-AY

更新时间： 2024-09-15 14:49:31

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	182K
描述
Power Field-Effect Transistor, 7.5A I(D), 600V, 0.75ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, LEAD FREE, ITO-220, 3 PIN

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2SK3298B-S17-AY 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.34
雪崩能效等级（Eas）：	37.5 mJ	外壳连接：	ISOLATED
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	600 V
最大漏极电流 (ID)：	7.5 A	最大漏源导通电阻：	0.75 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	30 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3298B-S17-AY 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3298B

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOSFET

DESCRIPTION

The 2SK3298B is N-channel MOSFET device that features a low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power supply, AC adapter.

FEATURES

• Low gate charge

Q^G= 30 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 7.5 A)

• Gate voltage rating : 30 V

• Low on-state resistance

R^DS(on)= 0.75 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 4.0 A)

• Avalanche capability ratings

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

LEAD PLATING

Pure Sn (Tin)

PACKING

PACKAGE

2SK3298B-S17-AY ^Note

Tube 50 p/tube

Isolated TO-220 (MP-45F) typ. 2.2 g

Note Pb-free (This product does not contain Pb in external electrode).

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

(Isolated TO-220)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (TC = 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

600

7.5

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

2.0

°C

PT2

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

7.5

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

37.5

Notes 1. PW ≤ 10 μ s, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 150 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D18571EJ1V0DS00 (1st edition)

Date Published December 2006 NS CP (K)

Printed in Japan

2006

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3298B-S17-AY相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3299	TYSEMI	获取价格	Low gate charge QG = 34 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
2SK3299	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3299	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3299-AZ	RENESAS	获取价格	Switching N-Channel Power Mosfet, MP-25, /Bag
2SK3299-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3299-S-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3299-S-AZ
2SK3299-Z-E1	RENESAS	获取价格	2SK3299-Z-E1
2SK3299-ZJ	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3299-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3299-ZJ-AZ
2SK3299-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3299-ZJ-E1-AZ

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