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2SK3302

更新时间： 2024-11-05 21:55:19
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器稳压器开关晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 221K
描述
Switching Regulator, DC-DC Converter Applications

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2SK3302 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Lifetime Buy
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.29.00.95风险等级：5.36
Is Samacsys：N雪崩能效等级（Eas）：14.3 mJ
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：500 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 A最大漏极电流 (ID)：0.5 A
最大漏源导通电阻：18 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：1.3 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：1.5 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3302 数据手册

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2SK3302  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)  
2SK3302  
Switching Regulator, DC-DC Converter Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 11.5 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 0.4 S (typ.)  
fs  
= 100 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 500 V)  
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
DSS  
Enhancement-model: V = 2.0~4.0 V (V  
th  
DS  
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
500  
500  
±30  
0.5  
1.5  
1.3  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kW)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
JEDEC  
―
―
E
14.3  
mJ  
(Note 2)  
JEITA  
Avalanche current  
I
0.5  
0.13  
A
TOSHIBA  
Weight: 1.9 g (typ.)  
2-8MIB  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
96.1  
Unit  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
°C/W  
th (ch-a)  
Note 1: Please use devise on condition that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C, L = 100 mH, R = 25 W, I = 0.5 A  
DD ch AR  
G
Note 3: Repetitive rating; pulse width limited by maximum channel temperature.  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2002-09-04  
123456

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