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2SK3301(2-7B3B)

更新时间： 2024-11-06 15:29:31
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 开关脉冲晶体管
页数 文件大小 规格书
6页 213K
描述
TRANSISTOR 1 A, 900 V, 20 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, 2-7B3B, 3 PIN, FET General Purpose Power

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2SK3301(2-7B3B) 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Lifetime Buy包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.74
雪崩能效等级（Eas）：140 mJ外壳连接：DRAIN
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：900 V
最大漏极电流 (ID)：1 A最大漏源导通电阻：20 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：2 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3301(2-7B3B) 数据手册

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2SK3301  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSIII)  
2SK3301  
Switching Regulatorand DC-DC Converter Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source on-resistance: R  
= 15 Ω (typ.)  
DS(ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 0.65 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 720 V)  
DSS  
DS  
Enhancement mode: V = 2.4 to 3.4 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
900  
900  
±30  
1
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC (Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse  
I
2
DP  
(Note 1)  
JEDEC  
JEITA  
―
―
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
20  
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
140  
mJ  
(Note 2)  
TOSHIBA  
2-7J1B  
Avalanche current  
I
1
2.0  
A
Weight: 0.36 g (typ.)  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55 to 150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/“Derating Concept and  
Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
2
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
1
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
6.25  
125  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
R
th (ch-a)  
3
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C (initial), L = 257 mH, R = 25 Ω, I = 1 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by max junction temperature  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2011-12-13  
123456

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