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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3302(TP,F)
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2SK3302(TP,F)

更新时间： 2024-09-16 13:04:27
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体转换器稳压器开关晶体管功率场效应晶体管脉冲
页数 文件大小 规格书
6页 191K
描述
TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,500V V(BR)DSS,500MA I(D),SIP

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2SK3302(TP,F) 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Lifetime Buy
包装说明：,Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.76配置：Single
最大漏极电流 (Abs) (ID)：0.5 AFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：1.3 W
子类别：FET General Purpose Power表面贴装：NO
Base Number Matches：1

2SK3302(TP,F) 数据手册

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2SK3302  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)  
2SK3302  
Switching Regulator and DC-DC Converter Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Low drain-source ON resistance: R  
= 11.5 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 0.4 S (typ.)  
fs  
Low leakage current: I  
= 100 μA (max) (V  
= 500 V)  
DSS  
DS  
Enhancement model: V = 2.0~4.0 V (V  
= 10 V, I = 1 mA)  
D
th  
DS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Drain-source voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
500  
500  
±30  
0.5  
1.5  
1.3  
V
V
V
DSS  
Drain-gate voltage (R  
Gate-source voltage  
= 20 kΩ)  
V
GS  
DGR  
V
GSS  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
DP  
Drain power dissipation  
P
W
D
AS  
AR  
Single pulse avalanche energy  
E
14.3  
mJ  
(Note 2)  
JEDEC  
―
―
Avalanche current  
I
0.5  
0.13  
A
JEITA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
TOSHIBA  
Weight: 1.9 g (typ.)  
2-8MIB  
T
ch  
150  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~150  
Note: Using continuously under heavy loads (e.g. the application of high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating conditions (i.e.  
operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings. Please design the appropriate  
reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook (“Handling Precautions”/Derating Concept and  
Methods) and individual reliability data (i.e. reliability test report and estimated failure rate, etc).  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
96.1  
Unit  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
°C/W  
th (ch-a)  
Note 1: Ensure that the channel temperature does not exceed 150°C.  
Note 2: = 90 V, T = 25°C, L = 100 mH, R = 25 Ω, I = 0.5 A  
V
DD  
ch  
G
AR  
Note 3: Repetitive rating: pulse width limited by maximum channel temperature.  
This transistor is an electrostatic-sensitive device. Please handle with caution.  
1
2006-11-06  
123456

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