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2SK3310

更新时间： 2024-11-16 22:52:55
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
页数 文件大小 规格书
6页 227K
描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (PI-MOSV)

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2SK3310 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SC-67包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
风险等级：5.9Is Samacsys：N
雪崩能效等级（Eas）：222 mJ外壳连接：ISOLATED
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：450 V
最大漏极电流 (ID)：10 A最大漏源导通电阻：0.65 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：40 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3310 数据手册

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2SK3310  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π-MOSV)  
2SK3310  
Switching Regulator Applications  
Unit: mm  
·
·
·
·
Low drain-source ON resistance: R  
= 0.48 Ω (typ.)  
DS (ON)  
High forward transfer admittance: |Y | = 4.3 S (typ.)  
fs  
= 100 µA (max) (V  
Low leakage current: I  
= 450 V)  
DSS  
Enhancement-model: V = 3.0~5.0 V (V  
DS  
= 10 V, I = 1 mA)  
th  
DS  
D
Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
Characteristics  
Symbol  
Rating  
Unit  
Drain-source voltage  
V
450  
450  
±30  
10  
V
V
V
DSS  
DGR  
GSS  
Drain-gate voltage (R  
= 20 kW)  
V
V
GS  
Gate-source voltage  
DC  
(Note 1)  
I
D
Drain current  
A
Pulse (Note 1)  
I
40  
DP  
Drain power dissipation (Tc = 25°C)  
P
40  
W
D
AR  
AR  
JEDEC  
JEITA  
―
Single pulse avalanche energy  
E
222  
mJ  
SC-67  
2-10R1B  
(Note 2)  
Avalanche current  
I
10  
4
A
TOSHIBA  
Repetitive avalanche energy (Note 3)  
Channel temperature  
E
mJ  
°C  
°C  
AR  
Weight: 1.9 g (typ.)  
T
150  
ch  
Storage temperature range  
T
-55~150  
stg  
Thermal Characteristics  
Characteristics  
Symbol  
Max  
Unit  
Thermal resistance, channel to case  
Thermal resistance, channel to ambient  
R
R
3.125  
62.5  
°C/W  
°C/W  
th (ch-c)  
th (ch-a)  
Note 1: Please use devices on conditions that the channel temperature is below 150°C.  
Note 2: V = 90 V, T = 25°C (initial), L = 3.7 mH, R = 25 W, I = 10 A  
DD ch AR  
G
Note 3: Repetitive rating: Pulse width limited by maximum channel temperature  
This transistor is an electrostatic sensitive device. Please handle with caution.  
1
2002-09-04  
123456

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