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2SK3318

更新时间： 2024-09-16 04:26:31

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松下 - PANASONIC		/
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3页	71K
描述
Silicon N-channel power MOSFET

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2SK3318 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	unknown
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.83
雪崩能效等级（Eas）：	112.5 mJ	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	15 A
最大漏源导通电阻：	0.46 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	60 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3318 数据手册

Power MOSFETs

2SK3318

Silicon N-channel power MOSFET

Unit: mm

5.0 0.2

15.0 0.3

11.0 0.2

For switching

(3.2)

■ Features

φ 3.2 0.1

• Avalanche energy capability guaranteed

• High-speed switching

• Low ON resistance R_on

• No secondary breakdown

2.0 0.2

2.0 0.1

0.6 0.2

1.1 0.1

■ Absolute Maximum Ratings T_C= 25°C

Parameter

Symbol

V_DSS

V_GSS

I_D

Rating

Unit

5.45 0.3

Drain-source surrender voltage

Gate-source surrender voltage

600

10.9 0.5

1: Gate

2: Drain

Drain current

3: Source

TOP-3F-A1 Package

Peak drain current

I_DP

112.5

100

Avalanche energy capability ^*

EAS

P_D

Internal Connection

Power

dissipation

T_a= 25°C

Channel temperature

Storage temperature

T_ch

150

°C

T_stg

−55 to +150

Note) : L = 1 mH, I_L= 15 A, 1 pulse

■ Electrical Characteristics T_C= 25°C 3°C

Parameter

Gate-drain surrender voltage

Diode forward voltage

Symbol

V_DSS

V_DSF

V_th

Conditions

Min

Typ

Max

Unit

I_D= 1 mA, V_GS= 0

I_DR= 15 A, V_GS= 0

V_DS= 25 V, I_D= 1 mA

V_DS= 480 V, V_GS= 0

600

−1.5

Gate threshold voltage

Drain-source cutoff current

Gate-source cutoff currentt

Drain-source on resistance

Forward transfer admittance

I_DSS

µA

Ω

I_GSS

V_GS

30 V, V_DS= 0

R_DS(on)V_GS= 10 V, I_D= 7.5 A

0.33

0.46

Y_fs

V_DS= 25 V, I_D= 7.5 A

Short-circuit forward transfer capacitance

(Common-source)

C_iss

V_DS= 20 V, V_GS= 0, f = 1 MHz

3500

Short-circuit output capacitance

(Common-source)

C_oss

C_rss

340

Reverse transfer capacitance

(Common-source)

Turn-on delay time

Rise time

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

R_th(ch-c)

R_th(ch-a)

V_DD= 150 V, I_D= 7.5 A

R_L= 20 Ω, V_GS= 10 V

Turn-off delay time

Fall time

310

Channel-case heat resistance

Channel-atmosphere heat resistance

1.25

41.7

°C/W

Note) Measuring methods are based on JAPANESE INDUSTRIAL STANDARD JIS C 7030 measuring methods for transistors.

Publication date: November 2004

SJG00040AED

12 3

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK331A	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 300UA I(DSS) \| SO
2SK331B	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 800UA I(DSS) \| SO
2SK331C	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 1.5MA I(DSS) \| FP
2SK332	SANYO	获取价格	SILICON N CHANNEL TRANSISTOR
2SK3320	TOSHIBA	获取价格	N CHANNEL JUNCTION TYPE (FOR LOW NOISE AUDIO AMPLIFIER APPLICATIONS)
2SK3320_07	TOSHIBA	获取价格	Silicon N Channel Junction Type For Low Noise Audio Amplifier Applications
2SK3320BL	TOSHIBA	获取价格	暂无描述
2SK3320-BL	TOSHIBA	获取价格	TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, ULTRA SUPER MINI, 2-2L1B, USV, 5
2SK3320-BL(T5LKMCF	TOSHIBA	获取价格	Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
2SK3320-BL(TE85L,F	TOSHIBA	获取价格	JFET DUAL N-CH USV

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