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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.84 |
| Is Samacsys： | N | FET 技术： | JUNCTION |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 125 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 0.1 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Other Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3321GR | TOSHIBA |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| 2SK3321R | TOSHIBA |
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TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal |
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| 2SK3321Y | TOSHIBA |
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暂无描述 |
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| 2SK3322 | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3322 | TYSEMI |
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Low gate charge QG = 15 nC TYP. (VDD = 450V, VGS = 10 V, ID = 5.5A) |
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| 2SK3322 | KEXIN |
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MOS Field Effect Transistor |
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| 2SK3322-S | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET |
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| 2SK3322-Z-AZ | RENESAS |
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2SK3322-Z-AZ |
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| 2SK3322-Z-E1-AZ | RENESAS |
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2SK3322-Z-E1-AZ |
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| 2SK3322-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3322-Z-E2-AZ |
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