2SK3324

更新时间： 2024-11-17 22:52:55

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲局域网
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8页	71K
描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3324 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-3P	包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.35
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	21.6 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	900 V	最大漏极电流 (ID)：	6 A
最大漏源导通电阻：	2.8 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3324 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3324

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3324 is N-Channel MOS FET device that features a

Low gate charge and excellent switching characteristics, and

Designed for high voltage applications such as switching

power supply, AC adapter.

PART NUMBER

2SK3324

PACKAGE

TO-3P

FEATURES

(TO-3P)

•

Low gate charge :

Q = 32 nC TYP. (V = 450 V, V = 10 V, I = 6.0 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Low on-state resistance :

DS(on)

= 2.8 Ω MAX. (V = 10 V, I = 3.0 A)

• Avalanche capability ratings

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25 °C)

DSS

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Drain Current (DC)

900

±30

GSS(AC)

D(DC)

±6

Drain Current (Pulse) ^Note1

D(pulse)

±18

Total Power Dissipation (T = 25°C)

120

°C

Total Power Dissipation (T = 25°C)

3.0

stg

Storage Temperature

–55 to + 150

6.0

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

21.6

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty cycle ≤ 1 %

2. Starting T = 25 °C, V = 150 V, R = 25 Ω, V = 20 V → 0 V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

availability and additional information.

Document No.

Date Published January 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14203EJ2V0DS00 (2nd edition)

The mark • shows major revised points.

1999

12 3 4 5 6 7 8

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与2SK3324相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3324-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3325	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3325	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3325	TYSEMI	获取价格	Low gate charge: QG = 22 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
2SK3325	RENESAS	获取价格	10A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SK3325-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3325B-S19-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3325B-ZK-E1-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3325B-ZK-E2-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3325-S	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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