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Datasheet > 晶体管 > 功率场效应晶体管> 2SK3337-01
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2SK3337-01

更新时间： 2024-11-20 22:13:39
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富士电机 - FUJI 晶体晶体管开关脉冲局域网
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4页 94K
描述
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET

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2SK3337-01 技术参数

生命周期：Active零件包装代码：TO-247
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.34
Is Samacsys：N其他特性：AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：463 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：1000 V最大漏极电流 (ID)：7 A
最大漏源导通电阻：2 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：TO-247JESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大脉冲漏极电流 (IDM)：28 A
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3337-01 数据手册

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FUJI POWER MOS-FET  
2SK3337-01  
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET  
Features  
High speed switching  
Low on-resistance  
No secondary breadown  
Low driving power  
Avalanche-proof  
Applications  
Switching regulators  
UPS (Uninterruptible Power Supply)  
DC-DC converters  
Maximum ratings and characteristicAbsolute maximum ratings  
(Tc=25°C unless otherwise specified)  
Equivalent circuit schematic  
Item  
Drain-source voltage  
Symbol  
VDS  
ID  
Rating  
1000  
±7  
Unit  
V
Drain(D)  
Continuous drain current  
Pulsed drain current  
A
ID(puls]  
VGS  
IAR *2  
EAV*1  
PD  
±28  
±30  
7
A
Gate-source voltage  
V
Repetitive or non-repetitive  
Maximum Avalanche Energy  
Max. power dissipation  
Operating and storage  
temperature range  
A
Gate(G)  
463  
255  
+150  
mJ  
W
°C  
Source(S)  
Tch  
Tstg  
-55 to +150  
°C  
<
*1 L=17.3mH, Vcc=100V *2 Tch=150°C  
Electrical characteristics (Tc =25°C unless otherwise specified)  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Item  
Test Conditions  
Symbol  
V(BR)DSS  
VGS(th)  
Drain-source breakdown voltaget  
Gate threshold voltage  
ID=1mA  
ID=1mA  
VGS=0V  
V
100  
VDS=VGS  
V
2.5  
3.0  
10  
0.2  
10  
1.54  
5.5  
1480  
3.5  
500  
1.0  
100  
2.0  
Tch=25°C  
µA  
mA  
nA  
VDS=1000V  
VGS=0V  
Zero gate voltage drain current  
IDSS  
Tch=125°C  
VGS=±30V  
Gate-source leakage current  
Drain-source on-state resistance  
Forward transcondutance  
Input capacitance  
VDS=0V  
IGSS  
ID=3.5A VGS=10V  
RDS(on)  
gfs  
Ω
S
2.7  
ID=3.5A VDS=25V  
VDS=25V  
2220  
pF  
Ciss  
170  
75  
255  
113  
38  
Output capacitance  
VGS=0V  
Coss  
Crss  
td(on)  
tr  
Reverse transfer capacitance  
Turn-on time ton  
f=1MHz  
VCC=600V ID=7A  
ns  
25  
50  
75  
VGS=10V  
160  
70  
240  
105  
126  
35  
Turn-off time toff  
td(off)  
tf  
RGS=10 Ω  
84  
nC  
Total gate charge  
Vcc=500V  
ID=7A  
QG  
QGS  
QGD  
IAV  
23  
Gate-Source charge  
Gete-Drain charge  
31  
47  
VGS=10V  
7
A
Avalanche capability  
Diode forward on-voltage  
Reverse recovery time  
Reverse recovery charge  
L=17.3 mH Tch=25°C  
1.00  
1.50  
V
IF=2xIDR VGS=0V Tch=25°C  
IF=IDR VGS=0V  
-di/dt=100A/µs  
Tch=25°C  
VSD  
trr  
Qrr  
1.6  
µs  
µC  
15.0  
Thermalcharacteristics  
Item  
Min.  
Typ.  
Max. Units  
Symbol  
Test Conditions  
Rth(ch-c)  
channel to case  
0.490  
°C/W  
Thermal resistance  
Rth(ch-a)  
channel to ambient  
50.0  
°C/W  
1
1234

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