5秒后页面跳转
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK332E | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 2.5MA I(DSS) | DIP |
|
| 2SK332F | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 40V V(BR)DSS | 5MA I(DSS) | DIP |
|
| 2SK333 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | DUAL | 80V V(BR)DSS | 1.2MA I(DSS) | DIP |
|
| 2SK3332 | SANKEN |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 150V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
|
| 2SK3335 | SANYO |
获取价格 |
2SK3335 |
|
| 2SK3335TP | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-251VAR |
|
| 2SK3335TP-FA | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8A I(D) | TO-252VAR |
|
| 2SK3337-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK3338-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
| 2SK3339-01 | FUJI |
获取价格 |
N-CHANNEL SILICON POWER MOS-FET |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
数据手册
如果您发现信息不准确，
