2SK3342

更新时间： 2024-11-20 22:52:55

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东芝 - TOSHIBA		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (MOSV)

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2SK3342 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Lifetime Buy	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.29
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	51 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	250 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	4.5 A
最大漏极电流 (ID)：	4.5 A	最大漏源导通电阻：	1 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	20 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	18 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

2SK3342 数据手册

2SK3342

TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel MOS Type (π−MOSV)

2SK3342

Switching Regulator Applications DC−DC Converter, and

Unit: mm

Motor Drive Applications

l Low drain−source ON resistance

l High forward transfer admittance

: R = 0.8 Ω (typ.)

DS (ON)

: |Y | = 4.5 S (typ.)

l Low leakage current

l Enhancement−mode

: I

= 100 µA (max) (V

th DS

= 250 V)

= 10 V, I = 1 mA)

DSS

: V = 1.5~3.5 V (V

Maximum Ratings (Ta = 25°C)

Characteristics

Symbol

Rating

Unit

Drain−source voltage

250

±20

4.5

DSS

Drain−gate voltage (R

= 20 kΩ)

DGR

Gate−source voltage

GSS

DC (Note 1)

Pulse (Note 1)

Drain current

Drain power dissipation (Tc = 25°C)

Single pulse avalanche energy

(Note 2)

Avalanche current

4.5

2.0

JEDEC

JEITA

―

Repetitive avalanche energy (Note 3)

Channel temperature

°C

SC-64

2-7B1B

150

TOSHIBA

Storage temperature range

−55~150

stg

Weight: 0.36 g (typ.)

Thermal Characteristics

Characteristics

Symbol

Max

6.25

125

Unit

Thermal resistance, channel to case

°C / W

th (ch−c)

th (ch−a)

Thermal resistance, channel to

ambient

Note 1: Please use devices on condition that the channel temperature is

below 150°C.

Note 2: V

= 50 V, T = 25°C (initial), L = 4.28 mH, R = 25 Ω,

= 4.5 A

Note 3: Repetitive rating; Pulse width limited by maximum channel

temperature.

This transistor is an electrostatic sensitive device.

Please handle with caution.

JEDEC

JEITA

―

TOSHIBA

2-7J1B

Weight: 0.36 g (typ.)

2002-01-25

12 3

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