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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-220AB | 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | unknown |
| HTS代码： | 8541.29.00.95 | 风险等级： | 5.3 |
| 其他特性： | AVALANCHE RATED | 雪崩能效等级（Eas）： | 10.7 mJ |
| 外壳连接： | DRAIN | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压： | 500 V | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 10 A |
| 最大漏极电流 (ID)： | 10 A | 最大漏源导通电阻： | 0.85 Ω |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JEDEC-95代码： | TO-220AB |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 85 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM)： | 40 A | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | FET General Purpose Power | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| 2SK3325-AZ | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3325B-S19-AY | NEC |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3325B-ZK-E1-AY | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3325B-ZK-E2-AY | NEC |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met |
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| 2SK3325-S | NEC |
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SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3325-S | RENESAS |
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10A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-262AA, FIN CUT, MP-25, TO-262, 3 PIN |
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| 2SK3325-S-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3325-S-AZ |
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| 2SK3325-Z-E2-AZ | RENESAS |
获取价格 |
2SK3325-Z-E2-AZ |
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| 2SK3325-ZJ | NEC |
获取价格 |
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE |
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| 2SK3325-ZJ | RENESAS |
获取价格 |
10A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB, MP-25ZJ, TO-263, 3 PIN |
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