2SK3325-ZJ

更新时间： 2024-11-17 22:19:15

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日电电子 - NEC		晶体晶体管开关脉冲局域网
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE

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2SK3325-ZJ 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	4	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.73
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	10.7 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	500 V	最大漏极电流 (ID)：	10 A
最大漏源导通电阻：	0.85 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	40 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3325-ZJ 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3325

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

INDUSTRIAL USE

DESCRIPTION

ORDERING INFORMATION

The 2SK3325 is N-Channel DMOS FET device that features

a low gate charge and excellent switching characteristics, and

designed for high voltage applications such as switching power

supply, AC adapter.

PART NUMBER

2SK3325

PACKAGE

TO-220AB

TO-262

2SK3325-S

2SK3325-ZJ

TO-263

FEATURES

• Low gate charge:

Q = 22 nC TYP. (V = 400 V, V = 10 V, I = 10 A)

(TO-220AB)

• Gate voltage rating: ±30 V

• Low on-state resistance

DS(on)

= 0.85 Ω MAX. (V = 10 V, I = 5.0 A)

• Avalanche capability ratings

• TO-220AB, TO-262, TO-263 package

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T^A= 25°C)

DSS

Drain to Source Voltage (V = 0 V)

500

±30

(TO-262)

GSS(AC)

Gate to Source Voltage (V = 0 V)

D(DC)

Drain Current (DC)

±10

Drain Current (pulse) ^Note1

D(pulse)

±40

Total Power Dissipation (T = 25°C)

°C

Total Power Dissipation (T = 25°C)

1.5

Channel Temperature

150

stg

Storage Temperature

–55 to +150

(TO-263)

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

10.7

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1 %

2. Starting T^ch= 25°C, V^DD= 150 V, R^G= 25Ω, V^GS= 20 V →0V

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

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Not all devices/types available in every country. Please check with local NEC representative for

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Document No.

Date Published May 2000 NS CP(K)

Printed in Japan

D14264EJ1V0DS00 (1st edition)

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3325-ZJ-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3325-ZJ-AZ
2SK3325-ZJ-E1-AZ	RENESAS	获取价格	2SK3325-ZJ-E1-AZ
2SK3326	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3326B-S17-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK332D	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 1.2MA I(DSS) \| DIP
2SK332E	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 2.5MA I(DSS) \| DIP
2SK332F	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| 40V V(BR)DSS \| 5MA I(DSS) \| DIP
2SK333	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| JFET \| N-CHANNEL \| DUAL \| 80V V(BR)DSS \| 1.2MA I(DSS) \| DIP
2SK3332	SANKEN	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 12A I(D), 150V, 0.23ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3335	SANYO	获取价格	2SK3335

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