2SK3322-ZK

更新时间： 2024-11-17 22:35:31

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日电电子 - NEC		晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲
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描述
SWITCHING N-CHANNEL POWER MOSFET

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2SK3322-ZK 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	D2PAK	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
HTS代码：	8541.29.00.95	风险等级：	5.18
Is Samacsys：	N	雪崩能效等级（Eas）：	10.7 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	600 V	最大漏极电流 (ID)：	5.5 A
最大漏源导通电阻：	2.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	20 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

2SK3322-ZK 数据手册

DATA SHEET

MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

2SK3322

SWITCHING

N-CHANNEL POWER MOS FET

ORDERING INFORMATION

DESCRIPTION

PART NUMBER

PACKAGE

The 2SK3322 is N-Channel DMOS FET device that

features a low gate charge and excellent switching

characteristics, and designed for high voltage

applications such as switching power supply, AC

adapter.

2SK3322

2SK3322-S

2SK3322-ZJ

2SK3322-ZK

TO-220AB (MP-25)

TO-262

TO-263(MP-25ZJ)

TO-263(MP-25ZK)

★

FEATURES

• Low gate charge :

★

Q^G= 15 nC TYP. (VDD = 450 V, VGS = 10 V, ID = 5.5 A)

• Gate voltage rating : ±30 V

• Low on-state resistance :

R^DS(on)= 2.2 Ω MAX. (VGS = 10 V, ID = 2.8 A)

• Avalanche capability ratings

• Surface mount package available

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Drain to Source Voltage (VGS = 0 V)

Gate to Source Voltage (V^DS= 0 V)

Drain Current (DC) (T^C= 25°C)

Drain Current (pulse) ^Note1

VDSS

VGSS

ID(DC)

I^D(pulse)

PT1

600

±30

±5.5

±20

1.5

Total Power Dissipation (T^A= 25°C)

Total Power Dissipation (T^C= 25°C)

Channel Temperature

°C

PT2

T^ch

150

Storage Temperature

T^stg

−55 to +150

4.0

°C

Single Avalanche Current ^Note2

Single Avalanche Energy ^Note2

I^AS

E^AS

10.7

Notes 1. PW ≤ 10 µs, Duty Cycle ≤ 1%

2. Starting T^ch= 25°C, VDD = 150 V, RG = 25 Ω, VGS = 20 → 0 V

The information contained in this document is being issued in advance of the production cycle for the

product. The parameters for the product may change before final production or NEC Electronics

Corporation, at its own discretion, may withdraw the product prior to its production.

Not all products and/or types are availabe in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D14114EJ2V0DS00 (2nd edition)

Date Published August 2003 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark ★ shows major revised points.

1999, 2000

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
2SK3322-ZK-E1-AY	RENESAS	获取价格	2SK3322-ZK-E1-AY
2SK3322-ZK-E2-AY	RENESAS	获取价格	2SK3322-ZK-E2-AY
2SK3324	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3324-A	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 6A I(D), 900V, 2.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal
2SK3325	NEC	获取价格	SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
2SK3325	KEXIN	获取价格	MOS Field Effect Transistor
2SK3325	TYSEMI	获取价格	Low gate charge: QG = 22 nC TYP. (VDD = 400 V, VGS = 10 V, ID = 10 A)
2SK3325	RENESAS	获取价格	10A, 500V, 0.85ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB, MP-25, 3 PIN
2SK3325-AZ	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met
2SK3325B-S19-AY	NEC	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 500V, 0.85ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Met

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