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Datasheet > 晶体管 > 小信号场效应晶体管> 2SK3320-BL
2SK3320-BL PDF预览

2SK3320-BL

更新时间： 2024-11-18 13:01:11
品牌 Logo 应用领域
东芝 - TOSHIBA 音频放大器
页数 文件大小 规格书
5页 589K
描述
TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, ULTRA SUPER MINI, 2-2L1B, USV, 5 PIN, FET General Purpose Small Signal

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2SK3320-BL 技术参数

生命周期：Active包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G5
针数：5Reach Compliance Code：unknown
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.26
其他特性：LOW NOISE配置：COMMON SOURCE, 2 ELEMENTS
FET 技术：JUNCTIONJESD-30 代码：R-PDSO-G5
JESD-609代码：e0元件数量：2
端子数量：5工作模式：DEPLETION MODE
最高工作温度：125 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

2SK3320-BL 数据手册

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2SK3320  
TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type  
2SK3320  
For Low Noise Audio Amplifier Applications  
Unit: mm  
•
•
•
•
Two devices in a ultra super mini (five pins) package  
High |Y |: |Y | = 15 mS (typ.) (V = 10 V, V = 0)  
fs  
fs  
DS  
GS  
High breakdown voltage: V  
= −50 V  
GDS  
Super low noise: NF = 1.0dB (typ.)  
(V  
DS  
= 10 V, I = 0.5 mA, f = 1 kHz, R = 1 kΩ)  
D
G
•
High input impedance: I  
= −1 nA (max) (V  
= −30 V)  
GSS  
GS  
Absolute Maximum Ratings (Ta = 25°C)  
(Q1, Q2 common)  
Characteristics  
Gate-drain voltage  
Symbol  
Rating  
Unit  
V
−50  
V
GDS  
Gate current  
I
10  
mA  
G
P
D
Drain power dissipation  
200  
mW  
JEDEC  
JEITA  
―
―
(Note 1)  
Junction temperature  
T
125  
°C  
°C  
j
TOSHIBA  
2-2L1B  
Storage temperature range  
T
stg  
−55~125  
Weight: 6.2 mg (typ.)  
Note:  
Using continuously under heavy loads (e.g. the application of  
high temperature/current/voltage and the significant change in  
temperature, etc.) may cause this product to decrease in the reliability significantly even if the operating  
conditions (i.e. operating temperature/current/voltage, etc.) are within the absolute maximum ratings.  
Please design the appropriate reliability upon reviewing the Toshiba Semiconductor Reliability Handbook  
(“Handling Precautions”/“Derating Concept and Methods”) and individual reliability data (i.e. reliability test  
report and estimated failure rate, etc).  
Note 1: Total rating  
Marking  
Pin Assignment (top view)  
1
2007-11-01  
12345

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与2SK3320-BL相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
2SK3320-BL(T5LKMCF TOSHIBA

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 		Small Signal Field-Effect Transistor, 2-Element, N-Channel, Silicon, Junction FET
2SK3320-BL(TE85L,F TOSHIBA

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 		JFET DUAL N-CH USV
2SK3320GR TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
2SK3320-GR TOSHIBA

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 		TOSHIBA Field Effect Transistor Silicon N Channel Junction Type
2SK3320-GR(TE85L,F TOSHIBA

获取价格

 		Small Signal Field-Effect Transistor
2SK3320Y TOSHIBA

获取价格

 		For Low Noise Audio Amplifier Applications
2SK3320-Y TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, ULTRA SUPER MINI, 2-2L1B, USV, 5
2SK3321 TOSHIBA

获取价格

 		N CHANNEL JUNCTION TYPE (GENERAL PURPOSE AND IMPEDANCE CONVERTER AND CONDENSER MICROPHONE
2SK3321GR TOSHIBA

获取价格

 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal
2SK3321R TOSHIBA

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 		TRANSISTOR SMALL SIGNAL, FET, FET General Purpose Small Signal

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